| 製造業者識別番号 | IRFBE20S |
|---|---|
| メーカー | Vishay Siliconix |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 利用可能な数量 | 81190 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | IRFBE20S.pdf |
| 部品番号 | IRFBE20S |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Obsolete |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 800V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1.8A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 6.5 Ohm @ 1.1A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 38nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 530pF @ 25V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | - |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | D2PAK |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | IRFBE20S |
QY Componentsには、最高の価格があります。 IRFBE20S, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 IRFBE20S, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます IRFBE20S, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 Vishay Siliconix 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - シングル コンポーネント また、の他の部分を購入することができます Vishay Siliconix そして トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 私たちから。 といった GA0805Y223KXABC31G, GA0805Y223KXBBC31G, GA0805Y223KXJBC31G, GA0805Y223KXXBC31G, GA0805Y223MXABC31G, GA0805Y223MXBBC31G, GA0805Y223MXJBC31G, GA0805Y223MXXBC31G, GA0805Y272JBCBT31G, GA0805Y272KBABT31G NTMFS5C450NT1G, IPB081N06L3GATMA1, VN10LP, PSMN7R6-60BS,118, STD6N62K3, CSD17301Q5A, IPD60R380P6ATMA1, SI7110DN-T1-E3, PSMN012-80BS,118, CSD19534Q5AT.
購入 Vishay Siliconix IRFBE20S 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。