Global Power Technologies Group 配給業者 www.qycomp.com GP1M009A020HG
製造業者識別番号GP1M009A020HG
メーカーGlobal Power Technologies Group
製品カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - シングル
利用可能な数量464646 Pieces
単価メールで見積もり ([email protected])
説明MOSFET N-CH 200V 9A TO220
鉛フリーステータス/ RoHSステータス鉛フリー/ RoHS準拠
湿気感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
生産状況(ライフサイクル)In Production
納期1-2 Days
日付コード(D / C)New
データシートダウンロード GP1M009A020HG.pdf

製品の属性

部品番号 GP1M009A020HG
メーカーリードタイム 6-8 weeks
調子 New & Unused, Original Sealed
部品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 200V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs 400 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 5V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 8.6nC @ 10V
Vgs(最大) ±30V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 414pF @ 25V
FET機能 -
消費電力(最大) 52W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-220
パッケージ/ケース TO-220-3
重量 0.001 KG
応用 Email for details
交換部品 GP1M009A020HG

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