製造業者識別番号 | FDMD8680 |
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メーカー | ON Semiconductor |
製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
利用可能な数量 | 143160 Pieces |
単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
説明 | MOSFET 2 N-CH 80V 66A 8-PQFN |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
湿気感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
生産状況(ライフサイクル) | In Production |
納期 | 1-2 Days |
日付コード(D / C) | New |
データシートダウンロード | FDMD8680.pdf |
部品番号 | FDMD8680 |
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メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
調子 | New & Unused, Original Sealed |
部品ステータス | Active |
FETタイプ | 2 N-Channel (Dual) |
FET機能 | Standard |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 80V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 66A (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 4.7 mOhm @ 16A, 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 4V @ 250µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 73nC @ 10V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 5330pF @ 40V |
電力 - 最大 | 39W |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
パッケージ/ケース | 8-PowerWDFN |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-PQFN (5x6) |
重量 | 0.001 KG |
応用 | Email for details |
交換部品 | FDMD8680 |
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