| 製造業者識別番号 | APT10M09B2VFRG |
|---|---|
| メーカー | Microsemi Corporation |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 利用可能な数量 | 57650 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | APT10M09B2VFRG.pdf |
| 部品番号 | APT10M09B2VFRG |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Obsolete |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 100V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 100A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 9 mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4V @ 2.5mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 350nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±30V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 9875pF @ 25V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 625W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | T-MAX™ [B2] |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 Variant |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | APT10M09B2VFRG |
QY Componentsには、最高の価格があります。 APT10M09B2VFRG, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 APT10M09B2VFRG, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます APT10M09B2VFRG, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 Microsemi Corporation 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - シングル コンポーネント また、の他の部分を購入することができます Microsemi Corporation そして トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 私たちから。 といった MXPLAD6.5KP100AE3, MXPLAD6.5KP100CA, MXPLAD6.5KP100CAE3, MXPLAD6.5KP110A, MXPLAD6.5KP110AE3, MXPLAD6.5KP110CA, MXPLAD6.5KP110CAE3, MXPLAD6.5KP120A, MXPLAD6.5KP120AE3, MXPLAD6.5KP120CA IPW60R080P7XKSA1, STF21NM60ND, SIHG24N65EF-GE3, STW21NM60ND, IPZA60R080P7XKSA1, FCH104N60F-F085, IXFH90N20X3, STW28NM60ND, SIHH28N60E-T1-GE3, FCA20N60F.
購入 Microsemi Corporation APT10M09B2VFRG 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。