| 製造業者識別番号 | 2SK4151TZ-E |
|---|---|
| メーカー | Renesas Electronics America |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 利用可能な数量 | 96130 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | MOSFET N-CH 150V 1A TO-92 |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | 2SK4151TZ-E.pdf |
| 部品番号 | 2SK4151TZ-E |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 150V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 1.95 Ohm @ 500mA, 4V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | - |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 3.5nC @ 4V |
| Vgs（最大） | ±10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 98pF @ 10V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 750mW (Ta) |
| 動作温度 | 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-92 |
| パッケージ/ケース | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | 2SK4151TZ-E |
QY Componentsには、最高の価格があります。 2SK4151TZ-E, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 2SK4151TZ-E, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます 2SK4151TZ-E, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 Renesas Electronics America 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - シングル コンポーネント また、の他の部分を購入することができます Renesas Electronics America そして トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 私たちから。 といった RMLV0416EGSB-4S2#AA0, RMLV0416EGSB-4S2#HA0, R1LP0108ESN-7SR#S0, R1LV0108ESN-5SR#B0, R1LV0108ESN-5SR#S0, R1LV0108ESN-7SI#B0, R1LV0108ESN-7SI#S0, R1LV0108ESN-7SR#B0, R1LV0108ESN-7SR#S0, R1LV3216RSA-5SI#B0 PSMN2R9-30MLC,115, GKI04048, GKI06109, CSD17581Q3A, DMP3018SFK-7, FDMC8588, NTTFS4C06NTAG, FDMS5362L-F085, CSD17581Q3AT, NVD5C668NLT4G.
購入 Renesas Electronics America 2SK4151TZ-E 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。