| 製造業者識別番号 | 2SK3565(Q,M) |
|---|---|
| メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 利用可能な数量 | 104650 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | MOSFET N-CH 900V 5A TO-220SIS |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | 2SK3565(Q,M).pdf |
| 部品番号 | 2SK3565(Q,M) |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 900V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 5A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 2.5 Ohm @ 3A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4V @ 1mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 28nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±30V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1150pF @ 25V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 45W (Tc) |
| 動作温度 | 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220SIS |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 Full Pack |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | 2SK3565(Q,M) |
QY Componentsには、最高の価格があります。 2SK3565(Q,M), 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 2SK3565(Q,M), あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます 2SK3565(Q,M), 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 Toshiba Semiconductor and Storage 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - シングル コンポーネント また、の他の部分を購入することができます Toshiba Semiconductor and Storage そして トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 私たちから。 といった 2SA1931,NETQ(M, 2SA1931,NIKKIQ(J, 2SA1931,NSEIKIQ(J, 2SA1931,Q(J, 2SA1931,SINFQ(J, 2SA1972,F(J, 2SA1972,T6WNLF(J, 2SA949-O(TE6,F,M), 2SA949-Y(JVC1,F,M), 2SA949-Y(T6JVC1,FM SI1032R-T1-GE3, SI1427EDH-T1-GE3, FDN340P, RTR040N03TL, CPH3351-TL-W, DMN2990UFA-7B, FDN360P, FDN337N, NDS355AN, ZXM61P02FTA.
購入 Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3565(Q,M) 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。