| 製造業者識別番号 | 2SK2967(F) |
|---|---|
| メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 利用可能な数量 | 23620 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | MOSFET N-CH 250V 30A TO-3PN |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | 2SK2967(F).pdf |
| 部品番号 | 2SK2967(F) |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Obsolete |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 250V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 30A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 68 mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 3.5V @ 1mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 132nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 5400pF @ 10V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 150W (Tc) |
| 動作温度 | 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-3P(N) |
| パッケージ/ケース | TO-3P-3, SC-65-3 |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | 2SK2967(F) |
QY Componentsには、最高の価格があります。 2SK2967(F), 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 2SK2967(F), あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます 2SK2967(F), 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 Toshiba Semiconductor and Storage 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - シングル コンポーネント また、の他の部分を購入することができます Toshiba Semiconductor and Storage そして トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 私たちから。 といった DF2S6.8CT(TPL3), DF3A5.6LFU(TE85L,F, DF3A6.2F(TE85L,F), DF2B7M3SC,L3F, DF5A3.6CJE(TE85L,F, DF5A3.6JE(TE85L,F), DF5A6.2CJE(TE85L,F, DF5A6.2JE(TE85L,F), DF2B6.8ACT,L3F, DF2S30FS,L3M TSM070NA04LCR RLG, TSM160P04LCRHRLG, FQD3N60CTM-WS, TSM4N60ECP ROG, PSMN2R0-25YLDX, SIRA24DP-T1-GE3, SIRC10DP-T1-GE3, CSD22205LT, RQ7E110AJTCR, NVMS5P02R2G.
購入 Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2967(F) 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。