| 製造業者識別番号 | 2N7000BU_T |
|---|---|
| メーカー | ON Semiconductor |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 利用可能な数量 | 23040 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | MOSFET N-CH 60V TO92 |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | 2N7000BU_T.pdf |
| 部品番号 | 2N7000BU_T |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Obsolete |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 60V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 200mA (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 5 Ohm @ 500mA, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 3V @ 1mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | - |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 50pF @ 25V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 400mW (Ta) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-92-3 |
| パッケージ/ケース | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | 2N7000BU_T |
QY Componentsには、最高の価格があります。 2N7000BU_T, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 2N7000BU_T, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます 2N7000BU_T, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 ON Semiconductor 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - シングル コンポーネント また、の他の部分を購入することができます ON Semiconductor そして トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 私たちから。 といった BZX84C36ET3, BZX84C36LT3G, BZX84C39LT3, BZX84C39LT3G, BZX84C3V3ET3, BZX84C3V3ET3G, BZX84C3V3LT3G, BZX84C3V9ET1, BZX84C47ET1, BZX84C4V7ET3 RJU002N06FRAT106, SI2303-TP, RRL035P03FRATR, SIB441EDK-T1-GE3, SI2310-TP, NVE4153NT1G, RQ3E150BNTB, DMN3026LVTQ-7, DMN2065UWQ-7, SSM3K336R,LF.
購入 ON Semiconductor 2N7000BU_T 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。