Numero di parte del produttore | SSM6N16FUTE85LF |
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fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
Categoria di prodotto | Transistor - FET, MOSFET - Array |
Quantità disponibile | 41330 Pieces |
Prezzo unitario | Preventivo per email ([email protected]) |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 20V 0.1A US6 |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Senza piombo / RoHS |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato di produzione (ciclo di vita) | In Production |
Tempo di consegna | 1-2 Days |
Data Code (D / C) | New |
Scarica il foglio dati | SSM6N16FUTE85LF.pdf |
Numero di parte | SSM6N16FUTE85LF |
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Tempo di consegna del produttore | 6-8 weeks |
Condizione | New & Unused, Original Sealed |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 Ohm @ 10mA, 4V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 100µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 9.3pF @ 3V |
Potenza - Max | 200mW |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | US6 |
Peso | 0.001 KG |
Applicazione | Email for details |
Pezzo di ricambio | SSM6N16FUTE85LF |
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