Vishay Siliconix Distributore www.qycomp.com SI2333DS-T1-GE3
Numero di parte del produttoreSI2333DS-T1-GE3
fabbricanteVishay Siliconix
Categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Quantità disponibile12070 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneMOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati SI2333DS-T1-GE3.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte SI2333DS-T1-GE3
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Active
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.1A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32 mOhm @ 5.3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 4.5V
Vgs (massimo) ±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 6V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 750mW (Ta)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23-3 (TO-236)
Pacchetto / caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
Pezzo di ricambio SI2333DS-T1-GE3

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Vishay Siliconix Distributore

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