Numero di parte del produttore | MURTA400120 |
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fabbricante | GeneSiC Semiconductor |
Categoria di prodotto | Diodi - Raddrizzatori - Array |
Quantità disponibile | 187640 Pieces |
Prezzo unitario | Preventivo per email ([email protected]) |
Descrizione | DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Senza piombo / RoHS |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato di produzione (ciclo di vita) | In Production |
Tempo di consegna | 1-2 Days |
Data Code (D / C) | New |
Scarica il foglio dati | MURTA400120.pdf |
Numero di parte | MURTA400120 |
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Tempo di consegna del produttore | 6-8 weeks |
Condizione | New & Unused, Original Sealed |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Tipo diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | 200A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.6V @ 200A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 25µA @ 1200V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Three Tower |
Pacchetto dispositivo fornitore | Three Tower |
Peso | 0.001 KG |
Applicazione | Email for details |
Pezzo di ricambio | MURTA400120 |
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