Numero di parte del produttore | JAN1N6622US |
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fabbricante | Microsemi Corporation |
Categoria di prodotto | Diodi - Raddrizzatori - Singoli |
Quantità disponibile | 171740 Pieces |
Prezzo unitario | Preventivo per email ([email protected]) |
Descrizione | DIODE GEN PURP 660V 2A D5A |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Senza piombo / RoHS |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato di produzione (ciclo di vita) | In Production |
Tempo di consegna | 1-2 Days |
Data Code (D / C) | New |
Scarica il foglio dati | JAN1N6622US.pdf |
Numero di parte | JAN1N6622US |
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Tempo di consegna del produttore | 6-8 weeks |
Condizione | New & Unused, Original Sealed |
Stato parte | Active |
Tipo diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 660V |
Corrente - Rettificato medio (Io) | 1.2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.4V @ 1.2A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 30ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500nA @ 660V |
Capacità @ Vr, F | 10pF @ 10V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SQ-MELF, A |
Pacchetto dispositivo fornitore | D-5A |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Peso | 0.001 KG |
Applicazione | Email for details |
Pezzo di ricambio | JAN1N6622US |
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