| Numero di parte del produttore | IS43DR86400C-3DBI |
|---|---|
| fabbricante | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Categoria di prodotto | Memoria |
| Quantità disponibile | 116600 Pieces |
| Prezzo unitario | Preventivo per email ([email protected]) |
| Descrizione | IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Senza piombo / RoHS |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato di produzione (ciclo di vita) | In Production |
| Tempo di consegna | 1-2 Days |
| Data Code (D / C) | New |
| Scarica il foglio dati | IS43DR86400C-3DBI.pdf |
| Numero di parte | IS43DR86400C-3DBI |
|---|---|
| Tempo di consegna del produttore | 6-8 weeks |
| Condizione | New & Unused, Original Sealed |
| Stato parte | Active |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato di memoria | DRAM |
| Tecnologia | SDRAM - DDR2 |
| Dimensione della memoria | 512Mb (64M x 8) |
| Frequenza di clock | 333MHz |
| Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 15ns |
| Tempo di accesso | 450ps |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Tensione - Fornitura | 1.7 V ~ 1.9 V |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 60-TFBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 60-TWBGA (8x10.5) |
| Peso | 0.001 KG |
| Applicazione | Email for details |
| Pezzo di ricambio | IS43DR86400C-3DBI |
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