Infineon Technologies Distributore www.qycomp.com IRF6662TRPBF
Numero di parte del produttoreIRF6662TRPBF
fabbricanteInfineon Technologies
Categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Quantità disponibile89280 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneMOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati IRF6662TRPBF.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte IRF6662TRPBF
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 8.3A (Ta), 47A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22 mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.9V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1360pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2.8W (Ta), 89W (Tc)
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore DIRECTFET™ MZ
Pacchetto / caso DirectFET™ Isometric MZ
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
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