Diodes Incorporated Distributore www.qycomp.com DMN2600UFB-7
Numero di parte del produttoreDMN2600UFB-7
fabbricanteDiodes Incorporated
Categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Quantità disponibile188810 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneMOSFET N-CH 25V 1.3A DFN1006-3
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati DMN2600UFB-7.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte DMN2600UFB-7
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1.3A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 350 mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.85nC @ 4.5V
Vgs (massimo) ±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 70.13pF @ 15V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 540mW (Ta)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 3-DFN1006 (1.0x0.6)
Pacchetto / caso 3-UFDFN
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
Pezzo di ricambio DMN2600UFB-7

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Diodes Incorporated Distributore

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