Numero di parte del produttore | BSO211PNTMA1 |
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fabbricante | Infineon Technologies |
Categoria di prodotto | Transistor - FET, MOSFET - Array |
Quantità disponibile | 199700 Pieces |
Prezzo unitario | Preventivo per email ([email protected]) |
Descrizione | MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8SOIC |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Senza piombo / RoHS |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato di produzione (ciclo di vita) | In Production |
Tempo di consegna | 1-2 Days |
Data Code (D / C) | New |
Scarica il foglio dati | BSO211PNTMA1.pdf |
Numero di parte | BSO211PNTMA1 |
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Tempo di consegna del produttore | 6-8 weeks |
Condizione | New & Unused, Original Sealed |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.7A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 67 mOhm @ 4.7A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 25µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23.9nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 920pF @ 15V |
Potenza - Max | 2W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | P-DSO-8 |
Peso | 0.001 KG |
Applicazione | Email for details |
Pezzo di ricambio | BSO211PNTMA1 |
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