Numero di parte del produttore | APTM100DA33T1G |
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fabbricante | Microsemi Corporation |
Categoria di prodotto | Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
Quantità disponibile | 156870 Pieces |
Prezzo unitario | Preventivo per email ([email protected]) |
Descrizione | MOSFET N-CH 1000V 23A SP1 |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Senza piombo / RoHS |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato di produzione (ciclo di vita) | In Production |
Tempo di consegna | 1-2 Days |
Data Code (D / C) | New |
Scarica il foglio dati | APTM100DA33T1G.pdf |
Numero di parte | APTM100DA33T1G |
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Tempo di consegna del produttore | 6-8 weeks |
Condizione | New & Unused, Original Sealed |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 23A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 396 mOhm @ 18A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 305nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 7868pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 390W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SP1 |
Pacchetto / caso | SP1 |
Peso | 0.001 KG |
Applicazione | Email for details |
Pezzo di ricambio | APTM100DA33T1G |
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