Microsemi Corporation Distributore www.qycomp.com APTM100DA33T1G
Numero di parte del produttoreAPTM100DA33T1G
fabbricanteMicrosemi Corporation
Categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Quantità disponibile156870 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneMOSFET N-CH 1000V 23A SP1
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati APTM100DA33T1G.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte APTM100DA33T1G
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 23A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 396 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 305nC @ 10V
Vgs (massimo) ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7868pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 390W (Tc)
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto dispositivo fornitore SP1
Pacchetto / caso SP1
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
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