Microsemi Corporation Distributore www.qycomp.com APTGT50DH60T1G
Numero di parte del produttoreAPTGT50DH60T1G
fabbricanteMicrosemi Corporation
Categoria di prodottoTransistor - IGBT - Moduli
Quantità disponibile180490 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneMOD IGBT 600V 80A SP1
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati APTGT50DH60T1G.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte APTGT50DH60T1G
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Active
Tipo IGBT Trench Field Stop
Configurazione Asymmetrical Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 80A
Potenza - Max 176W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 50A
Corrente - Limite del collettore (max) 250µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 3.15nF @ 25V
Ingresso Standard
Termistore NTC Yes
temperatura di esercizio -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso SP1
Pacchetto dispositivo fornitore SP1
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
Pezzo di ricambio APTGT50DH60T1G

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Microsemi Corporation Distributore

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