| Numero di parte del produttore | ALD1110EPAL |
|---|---|
| fabbricante | Advanced Linear Devices Inc. |
| Categoria di prodotto | Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Quantità disponibile | 10770 Pieces |
| Prezzo unitario | Preventivo per email ([email protected]) |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 10V 8DIP |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Senza piombo / RoHS |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato di produzione (ciclo di vita) | In Production |
| Tempo di consegna | 1-2 Days |
| Data Code (D / C) | New |
| Scarica il foglio dati | ALD1110EPAL.pdf |
| Numero di parte | ALD1110EPAL |
|---|---|
| Tempo di consegna del produttore | 6-8 weeks |
| Condizione | New & Unused, Original Sealed |
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair |
| Caratteristica FET | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 10V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500 Ohm @ 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.01V @ 1µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2.5pF @ 5V |
| Potenza - Max | 600mW |
| temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-PDIP |
| Peso | 0.001 KG |
| Applicazione | Email for details |
| Pezzo di ricambio | ALD1110EPAL |
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