Numero di parte del produttore | 1N8026-GA |
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fabbricante | GeneSiC Semiconductor |
Categoria di prodotto | Diodi - Raddrizzatori - Singoli |
Quantità disponibile | 88100 Pieces |
Prezzo unitario | Preventivo per email ([email protected]) |
Descrizione | DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257 |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Senza piombo / RoHS |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato di produzione (ciclo di vita) | In Production |
Tempo di consegna | 1-2 Days |
Data Code (D / C) | New |
Scarica il foglio dati | 1N8026-GA.pdf |
Numero di parte | 1N8026-GA |
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Tempo di consegna del produttore | 6-8 weeks |
Condizione | New & Unused, Original Sealed |
Stato parte | Active |
Tipo diodo | Silicon Carbide Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) | 8A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.6V @ 2.5A |
Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 1200V |
Capacità @ Vr, F | 237pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-257-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-257 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 250°C |
Peso | 0.001 KG |
Applicazione | Email for details |
Pezzo di ricambio | 1N8026-GA |
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