Numero di parte del produttore | 1N5553US |
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fabbricante | Microsemi Corporation |
Categoria di prodotto | Diodi - Raddrizzatori - Singoli |
Quantità disponibile | 129440 Pieces |
Prezzo unitario | Preventivo per email ([email protected]) |
Descrizione | DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Senza piombo / RoHS |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato di produzione (ciclo di vita) | In Production |
Tempo di consegna | 1-2 Days |
Data Code (D / C) | New |
Scarica il foglio dati | 1N5553US.pdf |
Numero di parte | 1N5553US |
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Tempo di consegna del produttore | 6-8 weeks |
Condizione | New & Unused, Original Sealed |
Stato parte | Active |
Tipo diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Corrente - Rettificato medio (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 9A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 2µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 800V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SQ-MELF, B |
Pacchetto dispositivo fornitore | B, SQ-MELF |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Peso | 0.001 KG |
Applicazione | Email for details |
Pezzo di ricambio | 1N5553US |
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