STMicroelectronics Distributeur www.qycomp.com STL26NM60N
Référence fabricantSTL26NM60N
FabricantSTMicroelectronics
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Simples
quantité disponible32570 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionMOSFET N-CH 600V 19A POWERFLAT
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
Télécharger la fiche technique STL26NM60N.pdf

Attributs du produit

Numéro d'article STL26NM60N
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 2.7A (Ta), 19A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 185 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1800pF @ 50V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 125mW (Ta), 3W (Tc)
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur PowerFlat™ (8x8) HV
Paquet / cas 8-PowerVDFN
Poids 0.001 KG
Application Email for details
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