ON Semiconductor Distributeur www.qycomp.com NTJD1155LT1G
Référence fabricantNTJD1155LT1G
FabricantON Semiconductor
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Matrices
quantité disponible21430 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionMOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Attributs du produit

Numéro d'article NTJD1155LT1G
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Active
FET Type N and P-Channel
FET Caractéristique Standard
Drain à la tension de source (Vdss) 8V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 175 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Puissance - Max 400mW
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package de périphérique fournisseur SC-88/SC70-6/SOT-363
Poids 0.001 KG
Application Email for details
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