| Référence fabricant | NCV5701BDR2G |
|---|---|
| Fabricant | ON Semiconductor |
| catégorie de produit | Durée de conservation |
| quantité disponible | 45680 Pieces |
| Prix unitaire | Citation par email ([email protected]) |
| La description | HIGH CURRENT IGBT GATE DR |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut de production (cycle de vie) | In Production |
| Heure de livraison | 1-2 Days |
| Code de date (D / C) | New |
| Télécharger la fiche technique | NCV5701BDR2G.pdf |
| Numéro d'article | NCV5701BDR2G |
|---|---|
| Délai d'exécution du fabricant | 6-8 weeks |
| État | New & Unused, Original Sealed |
| État de la pièce | Active |
| Configuration pilotée | - |
| Type de canal | - |
| Nombre de pilotes | - |
| Type de porte | - |
| Tension - Alimentation | - |
| Tension logique - VIL, VIH | - |
| Courant - sortie de crête (source, évier) | - |
| Type d'entrée | - |
| Tension latérale élevée - Max (Bootstrap) | - |
| Rise / Fall Time (Typ) | - |
| Température de fonctionnement | - |
| Type de montage | - |
| Paquet / cas | - |
| Package de périphérique fournisseur | - |
| Poids | 0.001 KG |
| Application | Email for details |
| Pièce de rechange | NCV5701BDR2G |
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