ON Semiconductor Distributeur www.qycomp.com FDG6335N
Référence fabricantFDG6335N
FabricantON Semiconductor
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Matrices
quantité disponible191640 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionMOSFET 2N-CH 20V 0.7A SOT-363
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
Télécharger la fiche technique FDG6335N.pdf

Attributs du produit

Numéro d'article FDG6335N
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 700mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300 mOhm @ 700mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 1.4nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 113pF @ 10V
Puissance - Max 300mW
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package de périphérique fournisseur SC-70-6
Poids 0.001 KG
Application Email for details
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