| Référence fabricant | EPC2110ENGRT |
|---|---|
| Fabricant | EPC |
| catégorie de produit | Transistors - FET, MOSFET - Matrices |
| quantité disponible | 175500 Pieces |
| Prix unitaire | Citation par email ([email protected]) |
| La description | TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut de production (cycle de vie) | In Production |
| Heure de livraison | 1-2 Days |
| Code de date (D / C) | New |
| Télécharger la fiche technique | EPC2110ENGRT.pdf |
| Numéro d'article | EPC2110ENGRT |
|---|---|
| Délai d'exécution du fabricant | 6-8 weeks |
| État | New & Unused, Original Sealed |
| État de la pièce | Active |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
| FET Caractéristique | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 120V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 3.4A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 4A, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 700µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 0.8nC @ 5V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 80pF @ 60V |
| Puissance - Max | - |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | Die |
| Package de périphérique fournisseur | Die |
| Poids | 0.001 KG |
| Application | Email for details |
| Pièce de rechange | EPC2110ENGRT |
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