| Référence fabricant | EPC2108ENGRT |
|---|---|
| Fabricant | EPC |
| catégorie de produit | Transistors - FET, MOSFET - Matrices |
| quantité disponible | 190070 Pieces |
| Prix unitaire | Citation par email ([email protected]) |
| La description | TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut de production (cycle de vie) | In Production |
| Heure de livraison | 1-2 Days |
| Code de date (D / C) | New |
| Télécharger la fiche technique | EPC2108ENGRT.pdf |
| Numéro d'article | EPC2108ENGRT |
|---|---|
| Délai d'exécution du fabricant | 6-8 weeks |
| État | New & Unused, Original Sealed |
| État de la pièce | Active |
| FET Type | 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) |
| FET Caractéristique | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 60V, 100V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 1.7A, 500mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3 Ohm @ 2.5A, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 22pF @ 30V, 7pF @ 30V |
| Puissance - Max | - |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | 9-VFBGA |
| Package de périphérique fournisseur | 9-BGA (1.35x1.35) |
| Poids | 0.001 KG |
| Application | Email for details |
| Pièce de rechange | EPC2108ENGRT |
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