Texas Instruments Distributeur www.qycomp.com CSD85312Q3E
Référence fabricantCSD85312Q3E
FabricantTexas Instruments
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Matrices
quantité disponible69840 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionMOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Attributs du produit

Numéro d'article CSD85312Q3E
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual) Common Source
FET Caractéristique Logic Level Gate, 5V Drive
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 39A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.4 mOhm @ 10A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 15.2nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2390pF @ 10V
Puissance - Max 2.5W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-PowerVDFN
Package de périphérique fournisseur 8-VSON (3.3x3.3)
Poids 0.001 KG
Application Email for details
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