Microsemi Corporation Distributeur www.qycomp.com APTGT75DA170D1G
Référence fabricantAPTGT75DA170D1G
FabricantMicrosemi Corporation
catégorie de produitTransistors - IGBT - Modules
quantité disponible21080 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionIGBT 1700V 120A 520W D1
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Attributs du produit

Numéro d'article APTGT75DA170D1G
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Obsolete
Type d'IGBT Trench Field Stop
Configuration Single
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1700V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 120A
Puissance - Max 520W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 75A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 5mA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 6.5nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC No
Température de fonctionnement -
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas D1
Package de périphérique fournisseur D1
Poids 0.001 KG
Application Email for details
Pièce de rechange APTGT75DA170D1G

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Microsemi Corporation Distributeur

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