Référence fabricant | 1N8032-GA |
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Fabricant | GeneSiC Semiconductor |
catégorie de produit | Diodes - Redresseurs - Simples |
quantité disponible | 146880 Pieces |
Prix unitaire | Citation par email ([email protected]) |
La description | DIODE SCHOTTKY 650V 2.5A TO257 |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut de production (cycle de vie) | In Production |
Heure de livraison | 1-2 Days |
Code de date (D / C) | New |
Télécharger la fiche technique | 1N8032-GA.pdf |
Numéro d'article | 1N8032-GA |
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Délai d'exécution du fabricant | 6-8 weeks |
État | New & Unused, Original Sealed |
État de la pièce | Active |
Type de diode | Silicon Carbide Schottky |
Tension - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V |
Courant - Rectifié moyen (Io) | 2.5A |
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si | 1.3V @ 2.5A |
La vitesse | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 0ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 650V |
Capacitance @ Vr, F | 274pF @ 1V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / cas | TO-257-3 |
Package de périphérique fournisseur | TO-257 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 250°C |
Poids | 0.001 KG |
Application | Email for details |
Pièce de rechange | 1N8032-GA |
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