| Número de pieza del fabricante | TPD3215M |
|---|---|
| Fabricante | Transphorm |
| categoria de producto | Transistores - FET, MOSFET - Arreglos |
| Cantidad disponible | 13410 Pieces |
| Precio unitario | Cotizar por correo electrónico ([email protected]) |
| Descripción | CASCODE GAN HB 600V 70A MODULE |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado de producción (ciclo de vida) | In Production |
| El tiempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de fecha (D / C) | New |
| Descargar hoja de datos | TPD3215M.pdf |
| Número de pieza | TPD3215M |
|---|---|
| Fabricante plazo de ejecución | 6-8 weeks |
| Condición | New & Unused, Original Sealed |
| Estado de la pieza | Last Time Buy |
| Tipo de FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Característica FET | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 70A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34 mOhm @ 30A, 8V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 8V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2260pF @ 100V |
| Potencia - Max | 470W |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / caja | Module |
| Paquete de dispositivo del proveedor | Module |
| Peso | 0.001 KG |
| Solicitud | Email for details |
| Repuesto | TPD3215M |
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