| Número de pieza del fabricante | MBR200200CT |
|---|---|
| Fabricante | GeneSiC Semiconductor |
| categoria de producto | Diodos - Rectificadores - Arreglos |
| Cantidad disponible | 86710 Pieces |
| Precio unitario | Cotizar por correo electrónico ([email protected]) |
| Descripción | DIODE SCHOTTKY 200V 100A 2 TOWER |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado de producción (ciclo de vida) | In Production |
| El tiempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de fecha (D / C) | New |
| Descargar hoja de datos | MBR200200CT.pdf |
| Número de pieza | MBR200200CT |
|---|---|
| Fabricante plazo de ejecución | 6-8 weeks |
| Condición | New & Unused, Original Sealed |
| Estado de la pieza | Active |
| Configuración de Diodo | 1 Pair Common Cathode |
| Tipo de diodo | Schottky |
| Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
| Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo) | 100A |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 920mV @ 100A |
| Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | - |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 3mA @ 200V |
| Temperatura de funcionamiento - unión | -55°C ~ 150°C |
| Tipo de montaje | Chassis Mount |
| Paquete / caja | Twin Tower |
| Paquete de dispositivo del proveedor | Twin Tower |
| Peso | 0.001 KG |
| Solicitud | Email for details |
| Repuesto | MBR200200CT |
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