Diodes Incorporated Distribuidor www.qycomp.com DMN3009SFGQ-7
Número de pieza del fabricanteDMN3009SFGQ-7
FabricanteDiodes Incorporated
categoria de productoTransistores - FET, MOSFET - Simple
Cantidad disponible124680 Pieces
Precio unitarioCotizar por correo electrónico ([email protected])
DescripciónMOSFET N-CH 30VPOWERDI3333-8
Estado sin plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de producción (ciclo de vida)In Production
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
Descargar hoja de datos DMN3009SFGQ-7.pdf

Atributos del producto

Número de pieza DMN3009SFGQ-7
Fabricante plazo de ejecución 6-8 weeks
Condición New & Unused, Original Sealed
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 16A (Ta), 45A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 42nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2nF @ 15V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 900mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor PowerDI3333-8
Paquete / caja 8-PowerVDFN
Peso 0.001 KG
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Repuesto DMN3009SFGQ-7

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