Diodes Incorporated Distribuidor www.qycomp.com DMN2013UFDE-7
Número de pieza del fabricanteDMN2013UFDE-7
FabricanteDiodes Incorporated
categoria de productoTransistores - FET, MOSFET - Simple
Cantidad disponible122530 Pieces
Precio unitarioCotizar por correo electrónico ([email protected])
DescripciónMOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN
Estado sin plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de producción (ciclo de vida)In Production
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
Descargar hoja de datos DMN2013UFDE-7.pdf

Atributos del producto

Número de pieza DMN2013UFDE-7
Fabricante plazo de ejecución 6-8 weeks
Condición New & Unused, Original Sealed
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 10.5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11 mOhm @ 8.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 25.8nC @ 8V
Vgs (Max) ±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2453pF @ 10V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 660mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor U-DFN2020-6 (Type E)
Paquete / caja 6-UDFN Exposed Pad
Peso 0.001 KG
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Repuesto DMN2013UFDE-7

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