Hersteller-Teilenummer | TPS1101DR |
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Hersteller | Texas Instruments |
Produktkategorie | Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln |
verfügbare Anzahl | 94410 Pieces |
Stückpreis | Zitat per E-Mail ([email protected]) |
Beschreibung | MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produktionsstatus (Lebenszyklus) | In Production |
Lieferzeit | 1-2 Days |
Datumscode (D / C) | New |
Datenblatt herunterladen | TPS1101DR.pdf |
Artikelnummer | TPS1101DR |
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Hersteller lieferzeit | 6-8 weeks |
Bedingung | New & Unused, Original Sealed |
Teilstatus | Active |
FET Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 15V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 2.3A (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.7V, 10V |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 2.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 11.25nC @ 10V |
Vgs (Max) | +2V, -15V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 791mW (Ta) |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | 8-SOIC |
Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Gewicht | 0.001 KG |
Anwendung | Email for details |
Ersatzteil | TPS1101DR |
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