Hersteller-Teilenummer | MJD112-1G |
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Hersteller | ON Semiconductor |
Produktkategorie | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln |
verfügbare Anzahl | 28900 Pieces |
Stückpreis | Zitat per E-Mail ([email protected]) |
Beschreibung | TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produktionsstatus (Lebenszyklus) | In Production |
Lieferzeit | 1-2 Days |
Datumscode (D / C) | New |
Datenblatt herunterladen | MJD112-1G.pdf |
Artikelnummer | MJD112-1G |
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Hersteller lieferzeit | 6-8 weeks |
Bedingung | New & Unused, Original Sealed |
Teilstatus | Active |
Transistor-Typ | NPN - Darlington |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 2A |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 100V |
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 40mA, 4A |
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 20µA |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 2A, 3V |
Leistung max | 1.75W |
Frequenz - Übergang | 25MHz |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / Fall | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Lieferantengerätepaket | I-PAK |
Gewicht | 0.001 KG |
Anwendung | Email for details |
Ersatzteil | MJD112-1G |
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