| Hersteller-Teilenummer | HGTP5N120BND |
|---|---|
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Produktkategorie | Transistoren - IGBTs - Einzeln |
| verfügbare Anzahl | 67890 Pieces |
| Stückpreis | Zitat per E-Mail ([email protected]) |
| Beschreibung | IGBT 1200V 21A 167W TO220AB |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produktionsstatus (Lebenszyklus) | In Production |
| Lieferzeit | 1-2 Days |
| Datumscode (D / C) | New |
| Datenblatt herunterladen | HGTP5N120BND.pdf |
| Artikelnummer | HGTP5N120BND |
|---|---|
| Hersteller lieferzeit | 6-8 weeks |
| Bedingung | New & Unused, Original Sealed |
| Teilstatus | Not For New Designs |
| IGBT-Typ | NPT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 1200V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 21A |
| Strom - Kollektorimpuls (Icm) | 40A |
| Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 5A |
| Leistung max | 167W |
| Energie wechseln | 450µJ (on), 390µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Ladung | 53nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | 22ns/160ns |
| Testbedingung | 960V, 5A, 25 Ohm, 15V |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | 65ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-220AB |
| Gewicht | 0.001 KG |
| Anwendung | Email for details |
| Ersatzteil | HGTP5N120BND |
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