Hersteller-Teilenummer | CSD13306WT |
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Hersteller | Texas Instruments |
Produktkategorie | Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln |
verfügbare Anzahl | 80560 Pieces |
Stückpreis | Zitat per E-Mail ([email protected]) |
Beschreibung | MOSFET N-CH 12V 6DSBGA |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produktionsstatus (Lebenszyklus) | In Production |
Lieferzeit | 1-2 Days |
Datumscode (D / C) | New |
Datenblatt herunterladen | CSD13306WT.pdf |
Artikelnummer | CSD13306WT |
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Hersteller lieferzeit | 6-8 weeks |
Bedingung | New & Unused, Original Sealed |
Teilstatus | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 12V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 3.5A (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 10.2 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.3V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 11.2nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1370pF @ 6V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 1.9W (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | 6-DSBGA (1x1.5) |
Paket / Fall | 6-UFBGA, DSBGA |
Gewicht | 0.001 KG |
Anwendung | Email for details |
Ersatzteil | CSD13306WT |
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