| Hersteller-Teilenummer | BSO615N |
|---|---|
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Produktkategorie | Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| verfügbare Anzahl | 9520 Pieces |
| Stückpreis | Zitat per E-Mail ([email protected]) |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produktionsstatus (Lebenszyklus) | In Production |
| Lieferzeit | 1-2 Days |
| Datumscode (D / C) | New |
| Datenblatt herunterladen | BSO615N.pdf |
| Artikelnummer | BSO615N |
|---|---|
| Hersteller lieferzeit | 6-8 weeks |
| Bedingung | New & Unused, Original Sealed |
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 2.6A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 150 mOhm @ 2.6A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 20µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 380pF @ 25V |
| Leistung max | 2W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | PG-DSO-8 |
| Gewicht | 0.001 KG |
| Anwendung | Email for details |
| Ersatzteil | BSO615N |
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