Microsemi Corporation Verteiler www.qycomp.com APTM120DA30T1G
Hersteller-TeilenummerAPTM120DA30T1G
HerstellerMicrosemi Corporation
ProduktkategorieTransistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
verfügbare Anzahl105810 Pieces
StückpreisZitat per E-Mail ([email protected])
BeschreibungMOSFET N-CH 1200V 31A SP1
Bleifreier Status / RoHS-StatusBleifrei / RoHS-konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) 1 (Unlimited)
Produktionsstatus (Lebenszyklus)In Production
Lieferzeit1-2 Days
Datumscode (D / C)New
Datenblatt herunterladen APTM120DA30T1G.pdf

Produkteigenschaften

Artikelnummer APTM120DA30T1G
Hersteller lieferzeit 6-8 weeks
Bedingung New & Unused, Original Sealed
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 1200V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 31A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 360 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 560nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 14560pF @ 25V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 657W (Tc)
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Lieferantengerätepaket SP1
Paket / Fall SP1
Gewicht 0.001 KG
Anwendung Email for details
Ersatzteil APTM120DA30T1G

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