| Hersteller-Teilenummer | APTM100H80FT1G |
|---|---|
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Produktkategorie | Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| verfügbare Anzahl | 136740 Pieces |
| Stückpreis | Zitat per E-Mail ([email protected]) |
| Beschreibung | MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1 |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produktionsstatus (Lebenszyklus) | In Production |
| Lieferzeit | 1-2 Days |
| Datumscode (D / C) | New |
| Datenblatt herunterladen | APTM100H80FT1G.pdf |
| Artikelnummer | APTM100H80FT1G |
|---|---|
| Hersteller lieferzeit | 6-8 weeks |
| Bedingung | New & Unused, Original Sealed |
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| FET-Eigenschaft | Standard |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 1000V (1kV) |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 11A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 960 mOhm @ 9A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 150nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3876pF @ 25V |
| Leistung max | 208W |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Paket / Fall | SP1 |
| Lieferantengerätepaket | SP1 |
| Gewicht | 0.001 KG |
| Anwendung | Email for details |
| Ersatzteil | APTM100H80FT1G |
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