Hersteller-Teilenummer | 2SJ649-AZ |
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Hersteller | Renesas Electronics America |
Produktkategorie | Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln |
verfügbare Anzahl | 87240 Pieces |
Stückpreis | Zitat per E-Mail ([email protected]) |
Beschreibung | MOSFET P-CH 60V 20A TO-220 |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produktionsstatus (Lebenszyklus) | In Production |
Lieferzeit | 1-2 Days |
Datumscode (D / C) | New |
Datenblatt herunterladen | 2SJ649-AZ.pdf |
Artikelnummer | 2SJ649-AZ |
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Hersteller lieferzeit | 6-8 weeks |
Bedingung | New & Unused, Original Sealed |
Teilstatus | Active |
FET Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 60V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 20A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 48 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1900pF @ 10V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 2W (Ta), 25W (Tc) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | TO-220 Isolated Tab |
Paket / Fall | TO-220-3 Isolated Tab |
Gewicht | 0.001 KG |
Anwendung | Email for details |
Ersatzteil | 2SJ649-AZ |
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